Vishay SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 787-9222PБренд: VishayПарт-номер производителя: SI2333DDS-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

19 Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.02мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI2315BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Vishay SI2315BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Vishay SI2333DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Vishay SI2333DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
Vishay SI2315BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Vishay SI2315BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Vishay SI2333DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Vishay SI2333DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

19 Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.02мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI2315BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Vishay SI2315BDS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Vishay SI2333DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Vishay SI2333DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Vishay
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)