Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Высота
9.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Высота
9.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре