Vishay IRF9530PBF MOSFET

Код товара RS: 708-5159PБренд: VishayПарт-номер производителя: IRF9530PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

88 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.41мм

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.01мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRF9530PBF
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay IRF9530PBF MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Vishay IRF9530PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type
Вас может заинтересовать
P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRF9530PBF
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

88 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.41мм

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.01мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRF9530PBF
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)