Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

Код товара RS: 541-2464PБренд: VishayПарт-номер производителя: IRF640SPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor