Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Максимальное рассеяние мощности

65,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.15мм

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

59 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм

Страна происхождения

China