Toshiba TK14G65W,RQ(S MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

DTMOSIV

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

8.8мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 10 В

Высота

4.46мм

Прямое напряжение диода

1.7V

Страна происхождения

Japan