Toshiba TK100E10N1 MOSFET

Код товара RS: 168-7770Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK100E10N1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

207 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

255 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Высота

15.1мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TK100E10N1 MOSFET

P.O.A.

Toshiba TK100E10N1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

207 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

255 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Высота

15.1мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba