Toshiba Dual Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T

Код товара RS: 236-3582PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: SSM6N7002KFU,LF(T
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

US6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1.2e+006 Ω

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Toshiba Dual Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 200.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 200.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

200

Доступно в кратности 200
200P.O.A.
400P.O.A.
600P.O.A.
800P.O.A.
1000P.O.A.
1200P.O.A.
1400P.O.A.
1600P.O.A.
1800P.O.A.
2000P.O.A.
2200P.O.A.
2400P.O.A.
2600P.O.A.
2800P.O.A.
3000P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Toshiba Dual Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 200.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 200.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

200

Доступно в кратности 200
200P.O.A.
400P.O.A.
600P.O.A.
800P.O.A.
1000P.O.A.
1200P.O.A.
1400P.O.A.
1600P.O.A.
1800P.O.A.
2000P.O.A.
2200P.O.A.
2400P.O.A.
2600P.O.A.
2800P.O.A.
3000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

US6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1.2e+006 Ω

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний