Texas Instruments CSD18536KTTT MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
349 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
NexFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
230 нКл при 10 В
Ширина
11.33мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1V
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
349 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
NexFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
230 нКл при 10 В
Ширина
11.33мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1V
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре