N-Channel MOSFET, 1.5 A, 30 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD17483F4T

Код товара RS: 823-9243PБренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD17483F4T
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PICOSTAR

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

0.64мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,01 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.04мм

Высота

0.35мм

Серия

FemtoFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.5 A, 30 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD17483F4T
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.5 A, 30 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD17483F4T
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PICOSTAR

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

0.64мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,01 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.04мм

Высота

0.35мм

Серия

FemtoFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments