Taiwan Semiconductor TSM3N80CH C5G MOSFET

Код товара RS: 171-3620Бренд: Taiwan SemiconductorПарт-номер производителя: TSM3N80CH C5G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-251

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

2.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Высота

7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Taiwan Semiconductor TSM3N80CH C5G MOSFET

P.O.A.

Taiwan Semiconductor TSM3N80CH C5G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-251

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

2.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Высота

7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V