STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 8 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW9N150

Код товара RS: 761-0639Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW9N150
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

1500 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

320 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

89,3 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.15мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 072,17

тг 4 072,17 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 8 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW9N150
Select packaging type

тг 4 072,17

тг 4 072,17 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 8 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW9N150
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 4 072,17
10 - 29тг 3 674,34
30 - 59тг 3 598,35
60 - 119тг 3 526,83
120+тг 3 236,28

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

1500 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

320 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

89,3 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.15мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics