STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 28 A, 710 V, 3-Pin TO-247 STW34N65M5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
62,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 3 696,69
тг 3 696,69 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 3 696,69
тг 3 696,69 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 29 | тг 3 696,69 |
| 30 - 59 | тг 3 044,07 |
| 60 - 149 | тг 2 485,32 |
| 150 - 299 | тг 2 208,18 |
| 300+ | тг 2 011,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
62,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.