N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW24N60M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 7 554,30
тг 1 510,86 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 7 554,30
тг 1 510,86 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 10 | тг 1 510,86 | тг 7 554,30 |
| 15 - 55 | тг 1 332,06 | тг 6 660,30 |
| 60 - 145 | тг 1 296,30 | тг 6 481,50 |
| 150 - 295 | тг 1 296,30 | тг 6 481,50 |
| 300+ | тг 1 242,66 | тг 6 213,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).