Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.045 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,5 нКл при 4,5 В
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.25мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.045 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,5 нКл при 4,5 В
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.25мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C