Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

STMicroelectronics STP80NF10 MOSFET

Код товара RS: 485-7888Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP80NF10
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 108,56

тг 1 108,56 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STP80NF10 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 108,56
2тг 2 217,12
3тг 3 325,68
4тг 4 434,24
5тг 5 542,80
6тг 6 651,36
7тг 7 759,92
8тг 8 868,48
9тг 9 977,04
10тг 11 085,60
11тг 12 194,16
12тг 13 302,72
13тг 14 411,28
14тг 15 519,84
15тг 16 628,40

тг 1 108,56

тг 1 108,56 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STP80NF10 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 108,56
2тг 2 217,12
3тг 3 325,68
4тг 4 434,24
5тг 5 542,80
6тг 6 651,36
7тг 7 759,92
8тг 8 868,48
9тг 9 977,04
10тг 11 085,60
11тг 12 194,16
12тг 13 302,72
13тг 14 411,28
14тг 15 519,84
15тг 16 628,40

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 108,56
25 - 99тг 898,47
100 - 249тг 728,61
250 - 499тг 710,73
500+тг 625,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics