STMicroelectronics STL8N10LF3 MOSFET

Код товара RS: 165-8008Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL8N10LF3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.2мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20,5 нКл при 10 В

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STL8N10LF3 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STL8N10LF3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.2мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20,5 нКл при 10 В

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics