Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET F3
Тип корпуса
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
50 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.2мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20,5 нКл при 10 В
Высота
0.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET F3
Тип корпуса
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
50 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.2мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20,5 нКл при 10 В
Высота
0.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.