STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin D2PAK STB80NF55L-06T4
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 5 В
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 1 698,60
тг 849,30 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 698,60
тг 849,30 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 849,30 | тг 1 698,60 |
| 10 - 18 | тг 835,89 | тг 1 671,78 |
| 20 - 48 | тг 813,54 | тг 1 627,08 |
| 50 - 98 | тг 719,67 | тг 1 439,34 |
| 100+ | тг 692,85 | тг 1 385,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 5 В
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.