STMicroelectronics STB38N65M5 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
71 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 3 298,86
тг 3 298,86 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 3 298,86
тг 3 298,86 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 49 | тг 3 298,86 |
| 50 - 249 | тг 2 704,35 |
| 250 - 499 | тг 2 243,94 |
| 500 - 999 | тг 1 998,09 |
| 1000+ | тг 1 783,53 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
71 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.