STMicroelectronics SD2931-10W MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
125 В
Тип корпуса
M174
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
389 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
24.89мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
26.67мм
Высота
4.11мм
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
125 В
Тип корпуса
M174
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
389 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
24.89мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
26.67мм
Высота
4.11мм
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.