SiC N-Channel MOSFET Module, 20 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA20N120

Код товара RS: 202-5491Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTWA20N120
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

HiP247

Серия

SCT

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,189 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 20 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA20N120

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 20 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA20N120
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

HiP247

Серия

SCT

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,189 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1