Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
1Мбит
Организация
128К слов x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
17бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1мм
Высота
1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
8.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
1Мбит
Организация
128К слов x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
17бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1мм
Высота
1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
8.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.