Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
1Мбит
Организация
128К слов x 8 бит
Количество слов
128k
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
17бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
STSOP
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1мм
Высота
1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Ширина
8.1мм
Длина
11.9мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
1Мбит
Организация
128К слов x 8 бит
Количество слов
128k
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
17бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
STSOP
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1мм
Высота
1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Ширина
8.1мм
Длина
11.9мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.