N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NTMYS7D3N04CLTWG

Код товара RS: 195-2524Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTMYS7D3N04CLTWG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

52 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

12 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

4.25мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 4,5 В

Высота

1.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NTMYS7D3N04CLTWG

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NTMYS7D3N04CLTWG
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

52 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

12 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

4.25мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 4,5 В

Высота

1.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V