Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 А, 4,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
WDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мОм, 200 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,3 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,7 нКл при 4,5 В, 5,5 нКл при 4,5 В
Ширина
2мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.75мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
10 - 10 | P.O.A. |
20 - 40 | P.O.A. |
50 - 90 | P.O.A. |
100 - 190 | P.O.A. |
200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 А, 4,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
WDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мОм, 200 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,3 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,7 нКл при 4,5 В, 5,5 нКл при 4,5 В
Ширина
2мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.75мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.