onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 1.3 A, 8 V, 6-Pin SOT-363 NTJD1155LT1G

Код товара RS: 780-0605PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTJD1155LT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

8 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

320 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Конфигурация транзистора

Переключатели нагрузки N+P

Максимальное напряжение затвор-исток

+8 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

2

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 1.3 A, 8 V, 6-Pin SOT-363 NTJD1155LT1G
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 1.3 A, 8 V, 6-Pin SOT-363 NTJD1155LT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

8 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

320 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Конфигурация транзистора

Переключатели нагрузки N+P

Максимальное напряжение затвор-исток

+8 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

2

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.

MOSFET Transistors, ON Semiconductor