Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.3 A, 8 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD1155LT1G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
320 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Переключатели нагрузки N+P
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Ширина
1.35мм
Количество элементов на ИС
2
Материал транзистора
Кремний
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 125,16
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 125,16
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 20 - 20 | тг 125,16 | тг 2 503,20 |
| 40 - 80 | тг 120,69 | тг 2 413,80 |
| 100 - 180 | тг 71,52 | тг 1 430,40 |
| 200 - 380 | тг 71,52 | тг 1 430,40 |
| 400+ | тг 67,05 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
320 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Переключатели нагрузки N+P
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Ширина
1.35мм
Количество элементов на ИС
2
Материал транзистора
Кремний
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.