Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
310 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Ширина
0.95мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,1 нКл при 5 В
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
310 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Ширина
0.95мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,1 нКл при 5 В
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре