Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Ширина
0.9мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
1.65мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,1 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 50 | P.O.A. |
100 - 200 | P.O.A. |
250 - 450 | P.O.A. |
500 - 950 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Ширина
0.9мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
1.65мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,1 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре