N-Channel MOSFET, 12.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6680A

Код товара RS: 671-0605Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDS6680A
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12.5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

10 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 353,13

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 12.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6680A
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 765,65
10тг 3 531,30
15тг 5 296,95
20тг 7 062,60
25тг 6 928,50
30тг 8 314,20
35тг 9 699,90
40тг 11 085,60
45тг 12 471,30
50тг 13 857,00
55тг 15 242,70
60тг 16 628,40
65тг 18 014,10
70тг 19 399,80
75тг 20 785,50

тг 353,13

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 12.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6680A
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 765,65
10тг 3 531,30
15тг 5 296,95
20тг 7 062,60
25тг 6 928,50
30тг 8 314,20
35тг 9 699,90
40тг 11 085,60
45тг 12 471,30
50тг 13 857,00
55тг 15 242,70
60тг 16 628,40
65тг 18 014,10
70тг 19 399,80
75тг 20 785,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 353,13тг 1 765,65
25 - 95тг 277,14тг 1 385,70
100 - 245тг 187,74тг 938,70
250 - 495тг 183,27тг 916,35
500+тг 178,80тг 894,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12.5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

10 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.