Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
109 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
WDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
7,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
114 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
3.15мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 10 В
Высота
0.75мм
Серия
NVTFS5C658NL
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
109 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
WDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
7,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
114 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
3.15мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 10 В
Высота
0.75мм
Серия
NVTFS5C658NL
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре