Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
313 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.7мм
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
16.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
800
P.O.A.
800
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
313 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.7мм
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
16.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C