Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS84AKS,115

Код товара RS: 792-0917Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSS84AKS
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

160 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

320 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,26 нКл при 5 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 75,99

Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS84AKS,115
Select packaging type

тг 75,99

Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS84AKS,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Лента
30 - 60тг 75,99тг 2 279,70
90 - 210тг 71,52тг 2 145,60
240 - 480тг 62,58тг 1 877,40
510 - 2970тг 44,70тг 1 341,00
3000+тг 31,29тг 938,70
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

160 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

320 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,26 нКл при 5 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать