Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
830 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 58,11
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 58,11
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 25 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
50 - 75 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
100 - 175 | тг 22,35 | тг 558,75 |
200 - 375 | тг 22,35 | тг 558,75 |
400+ | тг 22,35 | тг 558,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
830 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре