Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
250 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.08мм
Ширина
4.06мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
2V
Высота
5.33мм
Информация о товаре
Supertex P-Channel Enhancement Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of P-channel enhancement-mode (normally-off) DMOS FET transistors from Microchip are suited to a wide range of switching and amplifying applications requiring a low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
250 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.08мм
Ширина
4.06мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
2V
Высота
5.33мм
Информация о товаре
Supertex P-Channel Enhancement Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of P-channel enhancement-mode (normally-off) DMOS FET transistors from Microchip are suited to a wide range of switching and amplifying applications requiring a low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.