Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Серия
Trench
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
24 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
694 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.3мм
Длина
16.26мм
Типичный заряд затвора при Vgs
157 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
21.46мм
Информация о товаре
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Серия
Trench
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
24 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
694 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.3мм
Длина
16.26мм
Типичный заряд затвора при Vgs
157 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
21.46мм
Информация о товаре
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS