IXYS Trench N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

Код товара RS: 168-4583Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXTH110N25T
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

Trench

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

694 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.3мм

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

157 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

21.46мм

Информация о товаре

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS Trench N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

P.O.A.

IXYS Trench N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

Trench

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

694 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.3мм

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

157 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

21.46мм

Информация о товаре

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS