IXYS IXFN64N50P MOSFET

Код товара RS: 194-568Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN64N50PDistrelec Article No.: 30253377
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

61 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

85 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

38.23мм

Ширина

25.42мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать
IXYS IXFN80N50P MOSFET
IXYS IXFN80N50P MOSFETБренд: IXYS
тг 10 035,15Each (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 8 385,72

тг 8 385,72 Each (ex VAT)

IXYS IXFN64N50P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 8 385,72
2тг 16 771,44
3тг 25 157,16
4тг 33 542,88
5тг 41 101,65
6тг 49 321,98
7тг 57 542,31
8тг 65 762,64
9тг 73 982,97
10тг 82 203,30
11тг 90 423,63
12тг 98 643,96
13тг 106 864,29
14тг 115 084,62
15тг 123 304,95

тг 8 385,72

тг 8 385,72 Each (ex VAT)

IXYS IXFN64N50P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 8 385,72
2тг 16 771,44
3тг 25 157,16
4тг 33 542,88
5тг 41 101,65
6тг 49 321,98
7тг 57 542,31
8тг 65 762,64
9тг 73 982,97
10тг 82 203,30
11тг 90 423,63
12тг 98 643,96
13тг 106 864,29
14тг 115 084,62
15тг 123 304,95

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 8 385,72
5 - 19тг 8 220,33
20 - 49тг 6 995,55
50 - 99тг 6 852,51
100+тг 6 432,33
Вас может заинтересовать
IXYS IXFN80N50P MOSFET
IXYS IXFN80N50P MOSFETБренд: IXYS
тг 10 035,15Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

61 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

85 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

38.23мм

Ширина

25.42мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать
IXYS IXFN80N50P MOSFET
IXYS IXFN80N50P MOSFETБренд: IXYS
тг 10 035,15Each (ex VAT)