IXYS IXFN140N30P MOSFET

Код товара RS: 193-739Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

115 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

185 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Ширина

25.07мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 9 874,23

тг 9 874,23 Each (ex VAT)

IXYS IXFN140N30P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 9 874,23
2тг 19 748,46
3тг 29 622,69
4тг 39 496,92
5тг 48 365,40
6тг 58 038,48
7тг 67 711,56
8тг 77 384,64
9тг 87 057,72
10тг 96 730,80
11тг 106 403,88
12тг 116 076,96
13тг 125 750,04
14тг 135 423,12
15тг 145 096,20

тг 9 874,23

тг 9 874,23 Each (ex VAT)

IXYS IXFN140N30P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 9 874,23
2тг 19 748,46
3тг 29 622,69
4тг 39 496,92
5тг 48 365,40
6тг 58 038,48
7тг 67 711,56
8тг 77 384,64
9тг 87 057,72
10тг 96 730,80
11тг 106 403,88
12тг 116 076,96
13тг 125 750,04
14тг 135 423,12
15тг 145 096,20

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 9 874,23
5 - 19тг 9 673,08
20 - 49тг 8 233,74
50 - 99тг 8 068,35
100+тг 7 572,18

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

115 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

185 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Ширина

25.07мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS