Техническая документация
Характеристики
Количество элементов на ИС
1
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Число контактов
3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Прямое напряжение диода
1.4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Серия
HiperFET
Высота
4.83мм
Длина
10.41мм
Ширина
11.05мм
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Brand
IXYSМаксимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs
83 нКл при 10 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Количество элементов на ИС
1
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Число контактов
3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Прямое напряжение диода
1.4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Серия
HiperFET
Высота
4.83мм
Длина
10.41мм
Ширина
11.05мм
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Brand
IXYSМаксимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs
83 нКл при 10 В