Infineon IRFS3206PBF MOSFET

Код товара RS: 495-552Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFS3206PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

210 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 381,23

Each (ex VAT)

Infineon IRFS3206PBF MOSFET

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 381,23
2тг 2 762,46
3тг 4 143,69
4тг 5 524,92
5тг 6 906,15
6тг 8 287,38
7тг 9 668,61
8тг 11 049,84
9тг 12 431,07
10тг 8 001,30
11тг 8 801,43
12тг 9 601,56
13тг 10 401,69
14тг 11 201,82
15тг 12 001,95

тг 1 381,23

Each (ex VAT)

Infineon IRFS3206PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 381,23
2тг 2 762,46
3тг 4 143,69
4тг 5 524,92
5тг 6 906,15
6тг 8 287,38
7тг 9 668,61
8тг 11 049,84
9тг 12 431,07
10тг 8 001,30
11тг 8 801,43
12тг 9 601,56
13тг 10 401,69
14тг 11 201,82
15тг 12 001,95

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 381,23
10 - 49тг 800,13
50 - 99тг 719,67
100 - 249тг 648,15
250+тг 585,57

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

210 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.