Infineon IRF9335PBF MOSFET

Код товара RS: 725-9252Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF9335PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

59 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,7 нКл при 4,5 В, 9,1 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.98мм

Ширина

3.99мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.57мм

Вас может заинтересовать
Infineon IRF9335TRPBF MOSFET
P.O.A.Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

тг 1 385,70

тг 138,57 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon IRF9335PBF MOSFET
Select packaging type

тг 1 385,70

тг 138,57 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon IRF9335PBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 138,57тг 1 385,70
50 - 90тг 125,16тг 1 251,60
100 - 190тг 102,81тг 1 028,10
200 - 490тг 93,87тг 938,70
500+тг 84,93тг 849,30
Вас может заинтересовать
Infineon IRF9335TRPBF MOSFET
P.O.A.Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

59 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,7 нКл при 4,5 В, 9,1 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.98мм

Ширина

3.99мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.57мм

Вас может заинтересовать
Infineon IRF9335TRPBF MOSFET
P.O.A.Each (In a Pack of 25) (ex VAT)