Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

Код товара RS: 262-5862Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD028N06NF2SATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

139 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PG-TO252-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

P.O.A.

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

2000

Доступно в кратности 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

139 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PG-TO252-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

SiC