P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS84PH6327XTSA2

Код товара RS: 892-2217PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS84PH6327XTSA2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

12 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.24V

Высота

0.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS84PH6327XTSA2
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 250.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 250.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

250

Доступно в кратности 250
250P.O.A.
500P.O.A.
750P.O.A.
1000P.O.A.
1250P.O.A.
1500P.O.A.
1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
3000P.O.A.
3250P.O.A.
3500P.O.A.
3750P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS84PH6327XTSA2
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 250.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 250.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

250

Доступно в кратности 250
250P.O.A.
500P.O.A.
750P.O.A.
1000P.O.A.
1250P.O.A.
1500P.O.A.
1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
3000P.O.A.
3250P.O.A.
3500P.O.A.
3750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

12 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.24V

Высота

0.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.