N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC070N10NS3GATMA1

Код товара RS: 906-4359PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC070N10NS3GATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

8,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

63 нКл при 10 В

Ширина

5.35мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.1мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC070N10NS3GATMA1
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC070N10NS3GATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

8,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

63 нКл при 10 В

Ширина

5.35мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.1мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.