P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 Fairchild FDC642P_F085

Код товара RS: 864-8017Бренд: Fairchild SemiconductorПарт-номер производителя: FDC642P_F085
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fairchild Semiconductor

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

105 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,9 нКл при 4,5 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 102,81

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 Fairchild FDC642P_F085
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25тг 2 570,25
50тг 5 140,50
75тг 7 710,75
100тг 10 281,00
125тг 10 616,25
150тг 12 739,50
175тг 14 862,75
200тг 16 986,00
225тг 19 109,25
250тг 20 115,00
275тг 22 126,50
300тг 24 138,00
325тг 26 149,50
350тг 28 161,00
375тг 30 172,50

тг 102,81

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 Fairchild FDC642P_F085
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25тг 2 570,25
50тг 5 140,50
75тг 7 710,75
100тг 10 281,00
125тг 10 616,25
150тг 12 739,50
175тг 14 862,75
200тг 16 986,00
225тг 19 109,25
250тг 20 115,00
275тг 22 126,50
300тг 24 138,00
325тг 26 149,50
350тг 28 161,00
375тг 30 172,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 102,81тг 2 570,25
125 - 225тг 84,93тг 2 123,25
250 - 1475тг 80,46тг 2 011,50
1500 - 2975тг 75,99тг 1 899,75
3000+тг 67,05тг 1 676,25

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fairchild Semiconductor

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

105 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,9 нКл при 4,5 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.