N-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Diodes Inc ZXMS6006SGTA
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
IntelliFET
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
6.55мм
Ширина
3.55мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
1.65мм
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
IntelliFET
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
6.55мм
Ширина
3.55мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
1.65мм
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.