Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,9 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
8,6 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,9 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
8,6 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
