Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-346
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
41 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.35V
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
50,6 нКл при 8 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.7мм
Высота
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-346
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
41 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.35V
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
50,6 нКл при 8 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.7мм
Высота
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре