Transistor JFET N-Ch 50V 0.75mA S-Mini3

Код товара RS: 760-3123PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: 2SK208-R(TE85L,F)
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.3 to 0.75mA

Максимальное напряжение сток-исток

10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-50V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Высота

1.1мм

Ширина

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

2.9мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor JFET N-Ch 50V 0.75mA S-Mini3
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Transistor JFET N-Ch 50V 0.75mA S-Mini3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.3 to 0.75mA

Максимальное напряжение сток-исток

10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-50V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Высота

1.1мм

Ширина

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

2.9мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.