Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Двойной, одиночный
Количество каналов на ИС
2
Число контактов
8
Типичное одиночное напряжение питания
3 В, 5 В
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
6.4МГц
Типичная скорость нарастания
1.6В/мкс
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Типичное усиление по напряжению
109 дБ
Типичная интенсивность шумов входного напряжения
14нВ/√Гц
Высота
1.58мм
Размеры
4.9 x 3.91 x 1.58мм
Длина
4.9мм
Ширина
3.91мм
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Двойной, одиночный
Количество каналов на ИС
2
Число контактов
8
Типичное одиночное напряжение питания
3 В, 5 В
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
6.4МГц
Типичная скорость нарастания
1.6В/мкс
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Типичное усиление по напряжению
109 дБ
Типичная интенсивность шумов входного напряжения
14нВ/√Гц
Высота
1.58мм
Размеры
4.9 x 3.91 x 1.58мм
Длина
4.9мм
Ширина
3.91мм